研究低噪声高性能晶体管可能会带来电子技术的创新

世界各地的许多研究人员都将注意力集中在用原子级“奇异”2D材料(如二硒化钼)构建下一代晶体管上。这些材料很有前途，因为它们具有高性能的晶体管作用，未来可能会取代今天的硅电子产品。然而，他们中很少有人正在研究另一个重要方面：这类新材料中固有的电子噪声。电子噪声普遍存在于所有器件和电路中，并且只有在材料变得原子薄时才会恶化。

Das的研究团队最近进行的一项研究已经系统地表明，如果可以控制晶体管中10至15原子薄的层厚度，该器件不仅会显示出高性能-例如打开“开关”--但也经历非常低的电子噪音。这一独特的发现对于使用大量新兴2D材料在电子和传感领域构建多种支持技术至关重要。这项研究是之前发现的全面研究，Das的团队首次对MoSe2晶体管中的噪声进行了研究。

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